杂质掺杂石墨烯纳米带上的电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
我们利用基于密度泛函理论的第一性原理计算结合非平衡格林函数方法，模拟了掺杂各种杂质的扶手椅型边缘石墨烯纳米带 (AGNRs) 的电子输运性质。我们观察到电子结构中出现了杂质能级，并且掺杂 AGNRs 的透射函数量子化受到抑制。I-V 特性可以从透射函数计算得出。我们的模拟结果表明，掺杂杂质的 AGNRs 比未掺杂的具有更高的电导率。
引用
@article{arxiv.1207.5598,
title = {Electron Transfer on Impurity doped Graphene Nanoribbon},
author = {Hiroyoshi Tsuyuki and Shoichi Sakamoto and Mitsuyoshi Tomiya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.5598},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 4 figures