边缘化学掺杂对石墨烯纳米带迁移率的影响
介观与纳米尺度物理
2011-07-26 v1
摘要
半导体的掺杂对于各种器件应用是必需的。最近的实验表明，利用其反应性边缘的化学特性是掺杂原子级薄石墨烯纳米带（GNR）以实现新型器件的有效方法。通过使用从头算密度泛函和参数化紧束缚模拟，并结合用于量子输运的非平衡格林函数形式，研究了受边缘掺杂限制的载流子迁移率与 GNR 宽度、掺杂密度和载流子密度的函数关系。结果表明，对于宽度大于约 4nm 的 GNR，迁移率大致与 GNR 宽度成线性比例，与边缘掺杂浓度成反比，并随载流子密度增加而降低。对于更窄的 GNR，迁移率对 GNR 宽度和载流子密度的依赖性可能有本质上的不同。
引用
@article{arxiv.1107.4756,
title = {Effects of edge chemistry doping on graphene nanoribbon mobility},
author = {Yijian Ouyang and Stefano Sanvito and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4756},
year = {2011}
}
备注
15 pages, 7 figures