石墨烯纳米带中化学诱导的迁移率隙：提升器件性能的途径
介观与纳米尺度物理
2009-07-09 v1 材料科学
摘要
我们报告了一项基于第一性原理的介观量子输运研究，研究对象是宽度达10纳米的化学掺杂石墨烯纳米带。与硼杂质相关的准束缚态的出现，导致了由强电子-空穴不对称背散射现象驱动的、高达1 eV的迁移率隙。这一现象为克服当前石墨烯基器件的局限性开辟了新途径，即通过制造尺寸在传统光刻技术可达范围内的化学掺杂石墨烯纳米带。
引用
@article{arxiv.0906.2552,
title = {Chemically-induced Mobility Gaps in Graphene Nanoribbons: A Route for Upscaling Device Performances},
author = {Blanca Biel and François Triozon and X. Blase and Stephan Roche},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2552},
year = {2009}
}
备注
Nano Letters (in press)