含单空位石墨烯纳米带中的背散射与赝能隙效应

我们系统研究了具有单空位散射体且尺寸在现代光刻技术能力范围内的石墨烯纳米带在导电过程中的电子背散射现象。我们的分析基于一个打破电子-空穴对称性的\textit{从头算}参数化半经验模型，以及用于计算电导分布$g$的非平衡格林函数方法。其潜在机制基于波函数局域化和扰动，在第一个$\pi-\pi{}^*$平台的情况下，这些扰动可以产生具有施主和受主特征的类杂质赝能隙。约束和几何形状对于这些效应的显现至关重要。自洽量子输运计算将空位表征为局部充电中心，可以在纳米带拓扑结构上引起静电不均匀性。