具有高斯变形的石墨烯纳米带的电子输运性质
介观与纳米尺度物理
2020-08-19 v1
摘要
石墨烯结构中的高斯变形表现出一种有趣效应，即在变形区域观察到花状束缚态[Carrillo-Bastos et al., Phys. Rev. B 90 041411 (2014)]。为了将这种变形用于各种应用，期望获得可调的电子特性，包括半金属结构的带隙打开。此外，还需考虑无序和外部激发的影响。在本工作中，我们对具有高斯变形的石墨烯纳米带的量子输运进行了系统研究。探索了不同变形程度以寻找电子透射的普适行为。利用紧束缚模型结合非平衡格林函数形式，我们表明高斯变形强烈影响纳米带的电子性质，其中即使考虑微小变形，电子透射在高能区也显著下降。有趣的是，它揭示了半金属扶手椅型纳米带的透射第一平台在微小变形情况下仅受微弱影响。然而，显著大的高斯凸起可导致该平台强烈下降并形成输运能隙。发现零能处的透射随高斯凸起尺寸增大而指数下降。此外，半导体型纳米带的能隙随大变形而增大。大变形扶手椅型结构中输运能隙的打开或拓宽由跳跃轮廓沿输运方向形成的三区行为所解释。另一方面，无论高斯凸起尺寸如何，锯齿型纳米带中均未观察到输运能隙。该行为源于E = 0能量点处边缘态的强局域化……
引用
@article{arxiv.2005.04497,
title = {Electron transport properties of graphene nanoribbons with Gaussian deformation},
author = {Van-Truong Tran and Jérôme Saint-Martin and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.04497},
year = {2020}
}
备注
25 pages, 12 figures