低无序石墨烯纳米带中的绝缘态
介观与纳米尺度物理
2020-01-08 v1
摘要
我们报道了封装于六方氮化硼（hBN）中的蚀刻石墨烯纳米带的量子输运测量。在零磁场下，我们的器件在定性上与已报道的位于 或 hBN 上的石墨烯纳米带非常相似，但表现出明显更小的输运能隙。在约 T 的磁场下，输运行为发生显著变化，并由电子-电子相互作用诱导的更大能隙主导，完全抑制了输运。该能隙以 meV/T 量级的斜率增加，在 T 时达到高达 的值。
引用
@article{arxiv.1908.11079,
title = {Insulating state in low-disorder graphene nanoribbons},
author = {A. Epping and C. Volk and F. Buckstegge and K. Watanabe and T. Taniguchi and C. Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11079},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 6 figures