封装石墨烯中的点接触
介观与纳米尺度物理
2017-01-31 v1
摘要
我们提出了一种新颖的方法，通过在干法堆叠前单独预处理顶部 hBN，在六方氮化硼 (hBN) 封装石墨烯异质结构上建立尺寸小至 100 nm 的内部点接触。不同引线组合间的 2 端和 4 端场效应测量与假设点状接触的静电模型定性一致。测得的接触电阻为每个接触 0.5-1.5 k，对于如此小的接触而言相当低。通过施加垂直磁场，观察到量子霍尔区中的绝缘行为，这与内部接触的预期相符。所制备的接触与高迁移率石墨烯结构兼容，并为若干电子光学提议的实现开辟了领域。
引用
@article{arxiv.1509.04137,
title = {Point contacts in encapsulated graphene},
author = {Clevin Handschin and Balint Fülöp and Péter Makk and Sofya Blanter and Markus Weiss and K. Watanabe and T. Taniguchi and Szabolcs Csonka and Christian Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.04137},
year = {2017}
}