面向二维石墨烯/h-BN异质结构的一维铁磁边缘接触
介观与纳米尺度物理
2018-04-26 v1
摘要
我们报道了面向二维（2D）石墨烯/h-BN异质结构的一维（1D）铁磁边缘接触的制备。在旨在利用1D边缘接触研究自旋注入/探测时，观察到了一种伪磁阻信号，其被发现源于石墨烯中的局域霍尔效应，该效应由铁磁边缘接触产生的边缘场以及非局域测量构型中电荷电流扩散共同导致。这种行为已通过汉勒信号的缺失以及栅压依赖的磁阻测量得到证实，后者揭示了在电子掺杂和空穴掺杂区信号符号发生反转，这与自旋信号的预期行为相反。计算表明，接触诱导的边缘场通常在数百mT量级，但可通过仔细优化接触几何结构降低至100 mT以下。可能还存在由接触中隧穿各向异性引起的磁阻效应的额外贡献，这有待进一步研究。这些研究有助于通过1D边缘接触优化二维材料异质结构中的自旋注入与探测。
引用
@article{arxiv.1804.09490,
title = {One-dimensional ferromagnetic edge contacts to two-dimensional graphene/h-BN heterostructures},
author = {Bogdan Karpiak and André Dankert and Aron W. Cummings and Stephen R. Power and Stephan Roche and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09490},
year = {2018}
}