利用一维接触在高质量石墨烯中实现可调自旋注入
介观与纳米尺度物理
2022-02-15 v2 材料科学
摘要
自旋电子学涉及具有量子计算潜在用途的低维电子系统的发展。在石墨烯中，通过封装和减少杂质已在改善自旋输运特性方面取得显著进展，但标准二维（2D）隧穿接触经由针孔和石墨烯沟道掺杂所产生的影响仍难以消除。在此，我们报道了在完全封装石墨烯中借助具有一维（1D）接触的范德瓦耳斯异质结构所实现的自旋注入与可调自旋信号的观测。该架构防止了接触带来的显著掺杂，从而实现高质量石墨烯沟道，目前迁移率高达 130,000 cmVs，自旋扩散长度接近 20 m。纳米尺度的 1D 接触允许在室温与低温下均进行自旋注入，后者展现的效率与 2D 隧穿接触相当。在低温下，自旋信号可通过静电门控增强多达一个数量级，增添了新功能。
引用
@article{arxiv.2109.08827,
title = {Tuneable spin injection in high-quality graphene with one-dimensional contacts},
author = {Victor H. Guarochico-Moreira and Jose L. Sambricio and Khalid Omari and Christopher R. Anderson and Denis A. Bandurin and Jesus C. Toscano-Figueroa and Noel Natera-Cordero and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Irina V. Grigorieva and Ivan J. Vera-Marun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08827},
year = {2022}
}
备注
Manuscript and Supporting Information