拓扑绝缘体-石墨烯异质结构中的电流诱导自旋极化
介观与纳米尺度物理
2016-03-30 v2
摘要
全电自旋电子学领域的进一步发展需要将自旋传输通道与自旋注入/产生元件成功集成。虽然随着石墨烯和相关二维材料的出现，高性能自旋通道材料已经可用，但纳米结构自旋发生器的使用仍然是一个主要挑战。对于后者目的，三维拓扑绝缘体尤其有前景，其二维表面态承载具有自旋-动量锁定的无质量狄拉克费米子。在此，我们展示了从拓扑绝缘体向石墨烯注入自旋极化电流，这是通过其在范德瓦耳斯外延异质结构内与超薄Bi2Te2Se纳米片紧密耦合实现的。自旋开关信号的大小随温度反比变化，可在高达约15 K下检测到。我们的发现确立了拓扑绝缘体作为自旋电子器件中很有前景的未来组件，其中自旋操纵通过纯电学手段实现。
引用
@article{arxiv.1511.01364,
title = {Current-induced spin polarization in topological insulator-graphene heterostructures},
author = {Kristina Vaklinova and Alexander Hoyer and Marko Burghard and Klaus Kern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01364},
year = {2016}
}