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从拓扑绝缘体向金属注入自旋

强关联电子 2013-10-29 v3

摘要

我们研究了沉积在三维绝缘体上的拓扑绝缘体与薄的二维 (2D) 非磁性或部分极化铁磁金属膜之间的结。我们表明,这种结会导致有限的自旋流注入到薄膜中,其大小可以通过调节施加在结两端的电压 VV 来控制。对于铁磁薄膜,沿薄膜磁化方向的自旋流分量的方向也可以通过调节结处的势垒势 V0V_0 来调控。我们指出了狄拉克电子的手性自旋 - 动量锁定在这一现象背后的作用,并提出了验证我们理论的实验方案。

关键词

引用

@article{arxiv.1203.4266,
  title  = {Spin injection into a metal from a topological insulator},
  author = {S. Modak and K. Sengupta and Diptiman Sen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4266},
  year   = {2013}
}

备注

Revised version with supplemental materials