平行磁场中拓扑绝缘体薄膜的自旋极化隧穿电流
介观与纳米尺度物理
2012-10-05 v3 材料科学
摘要
我们计算了平行磁场 中拓扑绝缘体超薄膜两侧表面态之间的隧穿电导 。平行磁场导致两个表面态的面内动量发生相对位移。位移后的费米圆重叠及其自旋结构决定了隧穿电导 对磁场的异常依赖关系。由于拓扑绝缘体中电子表面态的自旋与动量锁定，隧穿电流的自旋极化可通过磁场 进行调控。
引用
@article{arxiv.1206.4733,
title = {Spin-polarized tunneling current through a thin film of topological insulator in a parallel magnetic field},
author = {Sergey S. Pershoguba and Victor M. Yakovenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4733},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures; Section V edited and extended