拓扑绝缘体表面分子磁体的电流诱导切换
介观与纳米尺度物理
2017-04-05 v1
摘要
拓扑绝缘体表面或边缘的电流本质上是自旋极化的。我们表明，此类表面/边缘电流可用于切换弱耦合到拓扑绝缘体表面或边缘的分子磁体的取向。对于二维拓扑绝缘体的边缘以及三维拓扑绝缘体的表面，若分子的磁各向异性轴与电流方向适当对齐，施加精心选择的表面/边缘电流可导致分子的完全极化。对于分子的任意取向，则获得非零但不完全的极化。我们计算了磁态的概率分布以及切换速率作为外加电流的函数。
引用
@article{arxiv.1612.02711,
title = {Current-induced switching of magnetic molecules on topological insulator surfaces},
author = {Elina Locane and Piet W. Brouwer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02711},
year = {2017}
}
备注
8+5 pages, 8 figures