拓扑绝缘体中的自旋泵浦与非弹性电子隧穿谱
介观与纳米尺度物理
2013-06-10 v2
摘要
我们证明了在二维拓扑绝缘体边缘自发产生的量子自旋霍尔电流，可作为具有单轴各向异性的磁性杂质源的自旋泵浦源。随后，人们可以通过电流操纵杂质自旋方向，而无需使用磁性电极或外部磁场。此外，我们展示了量子自旋霍尔拓扑态的独特性质对杂质的非弹性电子隧穿谱有深远影响。对于低电流密度，非弹性自旋翻转事件不对电导产生贡献。因此，通常出现在对应于自旋激发电压处的电导台阶被完全抑制。相比之下，强电流会导致自旋泵浦并产生杂质自旋的横向分量。这破坏了拓扑相，从而导致电导台阶的出现。
引用
@article{arxiv.1209.1579,
title = {Spin-pumping and inelastic electron tunneling spectroscopy in topological insulators},
author = {Aaron Hurley and Awadhesh Narayan and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.1579},
year = {2013}
}
备注
Updated text, added figure, published version