三维拓扑绝缘体的体自旋电导率
介观与纳米尺度物理
2021-01-01 v1
摘要
我们在 Kubo 形式体系内研究三维拓扑绝缘体体态的自旋电导率。自旋霍尔效应是产生垂直于外加电压的自旋流。在三维拓扑绝缘体情形中，沿 方向施加的电压产生沿 和 方向数值相当的横向自旋流。我们发现，由于能带反转，在带隙区域存在有限的非普适自旋电导率值。来自顶点修正的对自旋电导率的贡献增强了来自填充态的自旋电导率。这些发现解释了在拓扑绝缘体中观测到的大自旋电导率。
引用
@article{arxiv.2012.15109,
title = {Bulk spin conductivity of three-dimensional topological insulator},
author = {R. S. Akzyanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.15109},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 8 figures