作为自旋霍尔绝缘体的拓扑绝缘体薄膜
介观与纳米尺度物理
2021-01-01 v2
摘要
我们利用 Kubo 公式研究了拓扑绝缘体薄膜中表面态的自旋电导率。薄膜两侧间的杂化在狄拉克点处打开能隙。我们发现，在带隙区域内自旋电导率保持有限；在能带隙附近的无能隙区域，自旋电导率增强。这些发现使拓扑绝缘体薄膜成为自旋电子学应用中一种有前景的材料。
引用
@article{arxiv.1807.04611,
title = {Thin film of a topological insulator as a spin Hall insulator},
author = {R. S. Akzyanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04611},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 5 figures