表面态杂化对薄拓扑绝缘体薄膜中电流诱导自旋轨道矩的影响
介观与纳米尺度物理
2017-04-19 v2
摘要
我们研究了在顶表面态和底表面态之间存在杂化的情况下，薄拓扑绝缘体（TI）薄膜中的电流诱导自旋轨道矩。我们建立了自旋矩与 TI 厚度之间的关系式，并由此推导出使力矩最大化的最佳厚度值。我们通过数值计算表明，在由 制成的典型 TI 薄膜中，最佳厚度约为 3-5 nm。
引用
@article{arxiv.1611.08116,
title = {Effect of surface state hybridization on current-induced spin-orbit torque in thin topological insulator films},
author = {Cong Son Ho and Yi Wang and Zhuo Bin Siu and Hyunsoo Yang and Seng Ghee Tan and Mansoor B. A. Jalil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08116},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 2 figures