Bi2Se3中拓扑表面态起源的自旋轨道转矩
材料科学
2015-06-01 v1
摘要
三维拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)有望具有强自旋轨道耦合和自旋织构的拓扑表面态，从而表现出高的电荷-自旋电流转换效率。我们通过自旋转矩铁磁共振测量在不同温度下评估了Bi2Se3/Co40Fe40B20器件中的自旋轨道转矩。随着温度降低，自旋轨道转矩比从300 K时的约0.047增加到50 K以下的约0.42。此外，我们在低温下观察到了显著的面外转矩。详细分析表明，所观测到的自旋轨道转矩的起源是Bi2Se3中的拓扑表面态。我们的结果表明，具有强自旋轨道耦合的拓扑绝缘体可作为高效自旋流源的有希望的候选者，用于探索下一代自旋电子学应用。
引用
@article{arxiv.1505.07937,
title = {Topological Surface States Originated Spin-Orbit Torques in Bi2Se3},
author = {Yi Wang and Praveen Deorani and Karan Banerjee and Nikesh Koirala and Matthew Brahlek and Seongshik Oh and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.07937},
year = {2015}
}