拓扑绝缘体 Bi2Se3 中的室温自旋泵浦
介观与纳米尺度物理
2014-07-31 v1 材料科学
摘要
三维 (3D) 拓扑绝缘体以其强自旋 - 轨道耦合和存在自旋织构的拓扑表面态而闻名，这些特性有望被用于自旋电子学。在此，我们研究了从金属铁磁体 (CoFeB) 到 3D 拓扑绝缘体 (Bi2Se3) 的自旋泵浦，并成功演示了从 CoFeB 到 Bi2Se3 的自旋注入，以及在室温下直接探测由逆自旋霍尔效应 (ISHE) 产生的电动势。由金属铁磁体的磁化动力学驱动的自旋泵浦将自旋流引入拓扑绝缘体层，导致铁磁共振 (FMR) 线宽展宽。我们发现 FMR 线宽增加了五倍以上，Bi2Se3 层中的自旋混合电导可高达 3.4*10^20m^-2，自旋霍尔角可高达 0.23。
引用
@article{arxiv.1407.7940,
title = {Room Temperature Spin Pumping in Topological Insulator Bi2Se3},
author = {Mahdi Jamali and Joon Sue Lee and Yang Lv and Zhengyang Zhao and Nitin Samarth and Jian-Ping Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7940},
year = {2014}
}