磁性近邻效应作为拓扑绝缘体自旋电子学应用的途径
材料科学
2011-09-21 v2 强关联电子
摘要
拓扑绝缘体（TIs）中的自旋电子学因其长自旋相干性而备受青睐，进而实现了容错信息存储。磁性掺杂的 TIs 仅在高达 13 K 时呈现铁磁性，远低于任何实际运行条件。在此，我们证明通过沉积 Fe 覆盖层，利用磁性近邻效应可在 Bi2-xMnxTe3 中诱导出室温下的长程铁磁性。这一结果为基于 TIs 的自旋电子器件中的界面控制铁磁性开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1109.3609,
title = {Magnetic Proximity Effect as a Pathway to Spintronic Applications of Topological Insulators},
author = {Ivana Vobornik and Unnikrishnan Manju and Jun Fujii and Francesco Borgatti and Piero Torelli and Damjan Krizmancic and Yew San Hor and Robert J. Cava and Giancarlo Panaccione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3609},
year = {2011}
}
备注
accepted in Nano Letters