拓扑绝缘体异质结构中由间隔层调控的磁性及高场拓扑霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2021-07-30 v1
摘要
在磁性拓扑绝缘体（MTI）中控制磁序是发展MTI自旋电子学应用的关键，通常通过改变化学掺杂浓度实现，但这不可避免地影响自旋轨道耦合强度乃至拓扑性质本身。在此，我们展示了在拓扑异质结构中通过控制两个原子级薄磁层之间非磁间隔层厚度，在宽范围内调控磁性：从居里温度约100 K的铁磁相直至顺磁相，同时保持整体化学成分不变。本工作表明间隔层控制是操控MTI异质结构中磁拓扑功能的强有力工具。此外，MTI与Cr2O3缓冲层之间的相互作用还导致了稳健的拓扑霍尔效应，其存活磁场高达创纪录的6 T，这揭示了界面层在薄膜拓扑材料中的关键作用。
引用
@article{arxiv.2107.06805,
title = {Spacer-layer-tunable magnetism and high-field topological Hall effect in topological insulator heterostructures},
author = {Xiong Yao and Hee Taek Yi and Deepti Jain and Myung-Geun Han and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.06805},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 5 figures, accepted by Nano Letters