反铁磁拓扑绝缘体 MnBi$_2$Te$_4$ 中磁可控的拓扑量子相变
介观与纳米尺度物理
2019-09-18 v2 材料科学
摘要
反铁磁(AFM)拓扑绝缘体(TI) MnBiTe 的近期发现引发了探索新颖磁拓扑物理的研究热潮。基于第一性原理计算，我们发现磁取向与磁序的调控不仅显著影响材料对称性与轨道杂化，还在 MnBiTe 中导致多种新的磁拓扑相。因此我们预测该材料中一系列磁可控的非常规拓扑量子相变，包括从反铁磁拓扑绝缘体到反铁磁镜面拓扑晶体绝缘体、从 II 型到 I 型拓扑外尔半金属，以及从轴子绝缘体到陈绝缘体的相变。这些发现为磁拓扑材料的未来研究与应用开辟了新机遇。
引用
@article{arxiv.1905.00642,
title = {Magnetically Controllable Topological Quantum Phase Transitions in Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi$_2$Te$_4$},
author = {Jiaheng Li and Chong Wang and Zetao Zhang and Bing-Lin Gu and Wenhui Duan and Yong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.00642},
year = {2019}
}