反铁磁拓扑绝缘体中的压力诱导拓扑与结构相变
超导电性
2020-05-19 v1 材料科学
摘要
近来，(MnBi2Te4)m(Bi2Te3)n的自然范德瓦耳斯异质结构已被理论预测并经实验证明具有可调磁性和拓扑非平庸表面态。本工作中，我们系统研究了MnBi2Te4和MnBi4Te7对外部压力的结构与电子响应。除反铁磁序被抑制外，发现MnBi2Te4在压缩时发生金属-半导体-金属转变。MnBi4Te7的电阻率在高压下剧烈变化，并观察到 \r{ho}(T) 的非单调演化。证明在非平庸拓扑在高压区观测到的结构相变之前持续存在。我们发现体态与表面态对压力的响应不同，这与电阻率的非单调变化一致。有趣的是，在MnBi2Te4中观察到压力诱导的非晶态，而在MnBi4Te7中揭示了两个高压相变。我们的理论与实验结合研究确立了MnBi2Te4和MnBi4Te7为高度可调的磁性拓扑绝缘体，其中在压缩时涌现出相变和新的基态。
引用
@article{arxiv.2005.08015,
title = {Pressure-induced Topological and Structural Phase Transitions in an Antiferromagnetic Topological Insulator},
author = {Cuiying Pei and Yunyouyou Xia and Jiazhen Wu and Yi Zhao and Lingling Gao and Tianping Ying and Bo Gao and Nana Li and Wenge Yang and Dongzhou Zhang and Huiyang Gou and Yulin Chen and Hideo Hosono and Gang Li and Yanpeng Qi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08015},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 7 figures