范德瓦耳斯 MnBi$_2$Te$_4$/Cr$_2$Ge$_2$Te$_6$ 异质结构中的交换偏置
材料科学
2022-04-22 v1
摘要
层状范德瓦耳斯(vdW)材料 MnBiTe 是一种本征磁性拓扑绝缘体，具有量子反常霍尔效应(QAHE)和轴子态等多种拓扑相。然而，零场和高温 QAHE 均不易实现。理论提出可在 MnBi2Te4/铁磁(FM)绝缘体异质结构中引入交换偏置，从而打开表面态能隙，使零场或高温 QAHE 更易实现。本文报道了范德瓦耳斯 MnBiTe/CrGeTe 异质结构中电可调的交换偏置。交换偏置在一个临界磁场之上出现，并在磁带隙附近达到最大值。此外，经历交换偏置的是反铁磁(AFM) MnBiTe 层而非 FM 层。这种范德瓦耳斯异质结构为研究新颖的交换偏置效应和探索可能的高温 QAHE 提供了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2204.09950,
title = {Exchange bias in van der Waals MnBi$_2$Te$_4$/Cr$_2$Ge$_2$Te$_6$ heterostructure},
author = {Jing-Zhi Fang and Hao-Nan Cui and Shuo Wang and Jing-Di Lu and Xin-Jie Liu and Guang-Yu Zhu and Mao-Sen Qin and Jian-Kun Wang and Ze-Nan Wu and Yan-Fei Wu and Shou-Guo Wang and Zhongming Wei and Jinxing Zhang and Ben-Chuan Lin and Zhi-Min Liao and Dapeng Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.09950},
year = {2022}
}