应力驱动的GeBi4Te7拓扑绝缘体中的超导性
超导电性
2025-08-04 v1
摘要
氢化硫族化合物 (ACh)m(Pn2Ch3)n (A = Ge, Mn, Pb 等; Pn = Sb 或 Bi; Ch = Te, Se) 近期报道显示可拥有广泛的拓扑物质相，包括量子异常霍尔态和拓扑亚子态及其定化磁电效应。该系列中的一个子群，如MnSb4Te7和GeSb4Te7，可通过施加物理应力被驱动进入超导态，成为实现所谓拓扑超导性的可行候选方案。然而，磁性涨落在这种应力诱导的超导性中所扮演的角色尚不明确。本文报告了在非磁性GeBi4Te7中的应力诱导的多个超导相，伴随相应的结构相变，通过高压拉曼光谱得以证实。与该系列的其他成员相比，我们发现非磁性子群的超导临界温度显著高于其磁性同源物，可能暗示了磁性涨落在超导性形成中发挥着不利作用，至少在这种伪二元硫族化合物族中。
引用
@article{arxiv.2503.03281,
title = {Pressure-driven superconductivity in the topological insulator GeBi4Te7},
author = {Yalei Huang and Na Zuo and Zheyi Zhang and Chunqiang Xu and Xiangzhuo Xing and Wen-He Jiao and Bin Li and Wei Zhou and Xiaobing Liu and Dong Qian and Xiaofeng Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.03281},
year = {2025}
}