本征磁性拓扑绝缘体 MnSb2Te4 中压力驱动的电子与结构相变
材料科学
2021-12-08 v1
摘要
本征磁性拓扑绝缘体为实现多种令人兴奋的物理现象提供了理想平台。然而，此类材料及相关研究仍非常稀少。本工作中，我们报道了静水压力驱动的本征磁性拓扑绝缘体 MnSb2Te4 中的电子与结构相变。电输运结果表明，温度依赖电阻在短程反铁磁（AFM）有序温度 TN' 附近呈现最小值，TN' 值随压力下降，且在近 10 GPa 时 AFM 有序被强烈抑制，在 11.5 GPa 以上不可见。MnSb2Te4 中三个拉曼振动模式的强度自 7.5 GPa 起快速下降，并在 9 GPa 以上变得不可探测，暗示可能的绝缘体-金属转变，该转变进一步由理论计算确认。原位 X 射线衍射（XRD）表明，近 9.1 GPa 时出现额外衍射峰，且 MnSb2Te4 在 16.6 GPa 以上开始进入类非晶态，暗示了被抑制的 AFM 有序与金属化的结构起源。本工作展示了层间相互作用、磁有序与电学行为之间的关联，有助于理解此类材料与器件的基本属性。
引用
@article{arxiv.2107.12071,
title = {Pressure-driven electronic and structural phase transition in intrinsic magnetic topological insulator MnSb2Te4},
author = {Yunyu Yin and Xiaoli Ma and Dayu Yan and Changjiang Yi and Binbin Yue and Jianhong Dai and Lin Zhao and Xiaohui Yu and Youguo Shi and Jian-Tao Wang and Fang Hong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.12071},
year = {2021}
}
备注
4 figures