反铁磁拓扑绝缘体的纳米力学表征
介观与纳米尺度物理
2022-06-13 v1
摘要
反铁磁拓扑绝缘体 MnBi2Te4（MBT）为研究奇异拓扑现象和磁性提供了一个理想平台。MBT 族材料的磁相变输运特征已被充分研究。然而，它们的力学性质和磁-力学耦合尚未被充分探索。我们利用纳米机电系统通过磁致伸缩耦合研究 MBT 薄层中的本征磁性。我们考察了在不同温度下随磁场变化的从反铁磁（AFM）到倾斜反铁磁（cAFM）再到铁磁（FM）相的磁相变的力学共振特征。MBT 中的自旋翻转转变由力学共振的频率偏移揭示。当温度高于 TN 时，这些转变在共振频率图中消失，与输运测量一致。我们使用磁致伸缩模型将频率偏移与自旋倾斜态关联起来。我们的工作展示了一种研究磁性拓扑绝缘体的磁相变、磁化和磁弹性性质的技术。
引用
@article{arxiv.2206.04786,
title = {Nanomechanical Characterization of an Antiferromagnetic Topological Insulator},
author = {Shuwan Liu and Su Kong Chong and Dongwook Kim and Amit Vashist and Rohit Kumar and Seng Huat Lee and Kang L. Wang and Zhiqiang Mao and Feng Liu and Vikram V. Deshpande},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04786},
year = {2022}
}