通过表面修饰在反铁磁拓扑绝缘体 MnBi2Te4 中逼近最小拓扑电子结构
材料科学
2022-05-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑电子结构在拓扑量子材料的非平庸物理性质中起着核心作用。最小化的、类氢原子的拓扑电子结构是研究所期望的。在这项工作中，我们展示了通过表面修饰操控拓扑表面态（TSS）在内在磁性拓扑绝缘体 MnBi2Te4 中实现此类系统的努力。利用高分辨率激光和同步辐射角分辨光电子能谱（ARPES），我们发现 MnBi2Te4 中的 TSS 与平庸的 Rashba 型表面态（RSS）发生强烈杂化，该 RSS 可通过原位表面钾（K）沉积被有效去除。通过采用多种实验方法表征 K 沉积表面，我们将此种修饰归因于表面 K 团簇的电化学反应。我们的工作不仅给出了 MnBi2Te4 中清晰的能带指认，也为在磁性拓扑量子材料中凸显拓扑行为提供了可能的新途径。
引用
@article{arxiv.2205.10804,
title = {Approaching a Minimal Topological Electronic Structure in Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4 via Surface Modification},
author = {Aiji Liang and Cheng Chen and Huijun Zheng and Wei Xia and Kui Huang and Liyang Wei and Haifeng Yang and Yujie Chen and Xin Zhang and Xuguang Xu and Meixiao Wang and Yanfeng Guo and Lexian Yang and Zhongkai Liu and Yulin Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.10804},
year = {2022}
}