超薄 MnBi2Te4 薄膜电子结构的演化
材料科学
2022-09-16 v1
摘要
本征磁性拓扑绝缘体 MnBi2Te4 的超薄薄膜展现出诸如量子反常霍尔效应与轴子绝缘态等迷人量子性质。本工作中,我们系统研究了 MnBi2Te4 薄膜电子结构的演化。随着膜厚增加,电子结构由具有大能隙的绝缘体型转变为具有带隙内拓扑表面态的类型,然而仍与块体材料截然不同。通过碱金属原子的表面掺杂,Rashba 劈裂能带逐渐浮现并与拓扑表面态杂化,这不仅调和了块体与薄膜 MnBi2Te4 电子结构间令人困惑的差异,也为构建对(量子)反常霍尔效应颇具吸引力的 Rashba 铁磁体提供了有趣平台。我们的结果为理解并调控 MnBi2Te4 薄膜引人入胜的量子性质提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.2208.01920,
title = {Evolution of the electronic structure of ultrathin MnBi2Te4 Films},
author = {Runzhe Xu and Yunhe Bai and Jingsong Zhou and Jiaheng Li and Xu Gu and Na Qin and Zhongxu Yin and Xian Du and Qinqin Zhang and Wenxuan Zhao and Yidian Li and Yang Wu and Cui Ding and Lili Wang and Aiji Liang and Zhongkai Liu and Yong Xu and Xiao Feng and Ke He and Yulin Chen and Lexian Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.01920},
year = {2022}
}
备注
Online published in Nano Letters