利用高居里温度亚铁磁绝缘体增强Cr掺杂Bi2Se3中的磁有序
材料科学
2015-03-30 v1
摘要
我们报道了一项通过利用高居里温度亚铁磁绝缘体Y3Fe5O12的邻近效应，增强模型磁性掺杂拓扑绝缘体(TI) Bi2-xCrxSe3中磁有序的研究。该FMI为TI提供了交换相互作用的源，同时不破坏非平庸表面态。通过进行元素特异的X射线磁圆二色性(XMCD)测量，我们明确观察到在这种磁性掺杂TI/FMI异质结构中增强的居里温度TC达到50 K。我们还发现，与稀释铁磁半导体(DMSs)相比，其穿透深度更大(30 K时为6.6 nm)但衰减更快(从30 K到50 K减少了80%)，这可能表明FMI与非平庸TI表面之间的相互作用存在一种新机制。
引用
@article{arxiv.1503.07893,
title = {Enhancing Magnetic Ordering in Cr-doped Bi2Se3 using High-TC Ferrimagnetic Insulator},
author = {Wenqing Liu and Liang He and Yongbing Xu and Koichi Murata and Mehmet C. Onbasli and Murong Lang and Nick J. Maltby and Shunpu Li and Xuefeng Wang and Caroline A. Ross and Peter Bencok and Gerrit van der Laan and Rong Zhang and Kang. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07893},
year = {2015}
}