铁磁绝缘体/磁性拓扑绝缘体界面处邻近驱动增强的磁序

Mingda Li; Cui-Zu Chang; Brian. J. Kirby; Michelle Jamer; Wenping Cui; Lijun Wu; Yimei Zhu; Don Heiman; Ju Li; Jagadeesh Moodera

doi:10.1103/PhysRevLett.115.087201

铁磁绝缘体/磁性拓扑绝缘体界面处邻近驱动增强的磁序

介观与纳米尺度物理 2015-08-19 v1

作者: Mingda Li , Cui-Zu Chang , Brian. J. Kirby , Michelle Jamer , Wenping Cui , Lijun Wu , Yimei Zhu , Don Heiman , Ju Li , Jagadeesh Moodera

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摘要

磁性绝缘体/拓扑绝缘体(MI/TI)界面的磁交换驱动邻近效应为新颖现象提供了丰富平台，也是实现低能耗量子器件的方法。这里我们报告在MI/磁性TI EuS/Sb $_{2-x}$ V $_x$ Te $_3$ 混合异质结构中邻近交换耦合的显著增强，其中V掺杂用于驱动TI (Sb $_{2}$ Te $_3$ )具磁性。我们观察到MI/TI界面附近的人工反铁磁状结构，这可能解释了增强的邻近耦合。邻近效应与掺杂之间的相互作用为利用混合异质结构可控工程化磁序提供了见解。

关键词

邻近效应磁序铁磁绝缘体磁性拓扑绝缘体异质结构 V掺杂交换耦合

引用

@article{arxiv.1505.02306,
  title  = {Proximity Driven Enhanced Magnetic Order at Ferromagnetic Insulator / Magnetic Topological Insulator Interface},
  author = {Mingda Li and Cui-Zu Chang and Brian. J. Kirby and Michelle Jamer and Wenping Cui and Lijun Wu and Yimei Zhu and Don Heiman and Ju Li and Jagadeesh Moodera},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1505.02306},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 4 figures

铁磁绝缘体/磁性拓扑绝缘体界面处邻近驱动增强的磁序

摘要

关键词

引用

备注

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