三维拓扑绝缘体 Bi$_2$Se$_3$ 与铁磁绝缘体 EuS 边界处的界面诱导态
材料科学
2015-12-09 v1
摘要
通过相对论密度泛函理论（DFT）计算，我们研究了沉积在铁磁绝缘体（FMI）EuS 衬底上的拓扑绝缘体（TI）BiSe 薄膜的电子能带结构。在 BiSe/EuS 异质结构中，拓扑态谱中打开的能隙具有杂化特征，并显示可由 BiSe 薄膜厚度控制，而磁性对能隙的贡献可忽略不计。我们还分析了 Eu 掺杂对 BiSe 薄膜磁化的影响，并证明 Eu 杂质在邻近的 Se 和 Bi 原子上诱导的磁矩比衬底诱导的磁矩大一个数量级。文中讨论了最近在 EuS/BiSe 异质结构中进行的磁性和磁输运测量结果。
引用
@article{arxiv.1407.6880,
title = {Interface induced states at the boundary between a 3D topological insulator Bi$_2$Se$_3$ and a ferromagnetic insulator EuS},
author = {S. V. Eremeev and V. N. Men'shov and V. V. Tugushev and E. V. Chulkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6880},
year = {2015}
}
备注
submitted to Special issue (MISM-2014, 29 June - 3 July 2014, Moscow) in Journal of Magnetism and Magnetic Materials