通过全息研究拓扑绝缘体表面的强关联效应
高能物理 - 理论
2017-07-12 v2 强关联电子
摘要
我们研究了强关联对拓扑绝缘体 (TI) 表面态的影响。我们论证了在从弱反局域化到弱局域化的交叉区间内的电子是强关联的，并利用规范引力原理计算了 TI 的磁输运系数。然后，我们检验了磁电导率 (MC) 公式，发现其与铬掺杂 BiTe 在交叉区间的数据高度吻合。我们还发现，在低掺杂下 MC 中尖峰状的峰值消失，这很自然，因为强关联导致准粒子消失。
引用
@article{arxiv.1703.07361,
title = {Strong Correlation Effects on Surfaces of Topological Insulators via Holography},
author = {Yunseok Seo and Geunho Song and Sang-Jin Sin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07361},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 6 figures, figure and reference added, discussion on the result added