Mo/Bi1.95Sb0.05Se3 混合结构中邻近效应的研究
材料科学
2016-06-22 v1
摘要
我们报道了在机械剥离的 Bi1.95Sb0.05Se3 拓扑绝缘体（TI）单晶上部分覆盖无序超导（SC）Mo 薄膜的邻近效应。磁输运测量同时在样品的三个不同区域进行，即 SC、TI 和 SC/TI 结。跨 SC 测量的电阻在 4.3 K 显示转变温度 TC，同时 TI 上的电阻测量显示金属性趋势并在 TC 处急剧上升。TI 上的磁电阻（MR）测量表现出正磁电阻并伴随 Shubnikov-de Haas（SdH）振荡，而在 SC 上观察到正磁电阻叠加靠近 TC 的陡峭尖点。跨 SC/TI 结同时观察到 SdH 振荡和尖点。SC/TI 结上 SdH 振荡频率（约 125 T）低于参考 Bi1.95Sb0.05Se3 样品（约 174 T）。由 WHH 拟合推导的上临界场 HC2 对于参考 Mo 薄膜为 17.14 T，而沉积在 TI 上的 Mo 薄膜 HC2 降低为 4.05 T。前者的相干长度为 4.38 nm，后者为 9.01 nm。认为 SC 中无自旋库珀对与 TI 表面自旋-动量锁定的载流子之间的相互作用导致了输运性质的此类变化。
引用
@article{arxiv.1511.04213,
title = {Studies on proximity effect in Mo/Bi1.95Sb0.05Se3 hybrid structure},
author = {E. P. Amaladass and Shilpam Sharma and T. R. Devidas and Awadhesh Mani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.04213},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 5 figures