邻近诱导超导拓扑绝缘体的电导谱
超导电性
2015-06-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了在Au/BiSbTeSe/Nb器件中，与s波超导电极（STI）直接接触的拓扑绝缘体完全带隙区域与周围拓扑绝缘体薄片（TI）之间的邻近效应。器件的电导谱显示STI中存在大的诱导能隙，以及TI正常部分中量级为Thouless能量的超导关联诱导。零能附近电导调制的形状在器件间变化，可由SNN'（S为超导体，N为超导邻近材料，N'为正常金属）器件中s波诱导超导的现有理论解释。所有电导谱在STI的诱导能隙处显示电导凹陷。
引用
@article{arxiv.1506.05923,
title = {Conductance spectroscopy of a proximity induced superconducting topological insulator},
author = {M. Snelder and M. P. Stehno and A. A. Golubov and C. G. Molenaar and T. Scholten and D. Wu and Y. K. Huang and W. G. van der Wiel and M. S. Golden and A. Brinkman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05923},
year = {2015}
}