拓扑绝缘体薄膜中的平行场磁阻

C. J. Lin; X. Y. He; J. Liao; X. X. Wang; V. Sacksteder; W. M. Yang; T. Guan; Q. M. Zhang; L. Gu; G. Y. Zhang; C. G. Zeng; X. Dai; K. H. Wu; Y. Q. Li

doi:10.1103/PhysRevB.88.041307

拓扑绝缘体薄膜中的平行场磁阻

介观与纳米尺度物理 2013-07-30 v1

作者: C. J. Lin , X. Y. He , J. Liao , X. X. Wang , V. Sacksteder , W. M. Yang , T. Guan , Q. M. Zhang , L. Gu , G. Y. Zhang , C. G. Zeng , X. Dai , K. H. Wu , Y. Q. Li

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摘要

我们报告指出，三维拓扑绝缘体 (TI) 薄膜的有限厚度在平行磁场中的相位相干输运中产生了可观测的磁阻 (MR)。我们将 Bi2Se3 和 (Bi,Sb)2Te3 薄膜的 MR 数据与现有的平行场磁输运理论模型进行了比较。我们得出结论，TI 薄膜将平行场输运带入了一个独特的区域，其中表面态与体相及相对表面的耦合对于理解观测到的 MR 是必不可少的。从平行场 MR 中提取的{\beta}参数原则上可以为寻找比现有材料具有更高绝缘体相的 TI 化合物提供品质因数。

关键词

拓扑绝缘体薄膜磁阻平行磁场相位相干输运表面态体 - 表面耦合

引用

@article{arxiv.1307.7228,
  title  = {Parallel field magnetoresistance in topological insulator thin films},
  author = {C. J. Lin and X. Y. He and J. Liao and X. X. Wang and V. Sacksteder and W. M. Yang and T. Guan and Q. M. Zhang and L. Gu and G. Y. Zhang and C. G. Zeng and X. Dai and K. H. Wu and Y. Q. Li},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1307.7228},
  year   = {2013}
}

备注

6 pages, 4 figures

拓扑绝缘体薄膜中的平行场磁阻

摘要

关键词

引用

备注

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