平行磁场驱动的薄拓扑绝缘体薄膜中的量子相变
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v2
摘要
众所周知，三维拓扑绝缘体（TI）的螺旋表面态对静态面内磁场没有响应。形式上，这是因为面内磁场作为矢势出现在表面态的狄拉克哈密顿量中，因此可以通过表面电子波函数的规范变换消除。这里我们证明，当TI薄膜的顶面和底面发生杂化且费米能级位于杂化能隙中时，会出现非零的抗磁响应。此外，在平行磁场的有限临界值处，会发生从具有抗磁响应的绝缘体到对平行场响应消失的半金属的量子相变。
引用
@article{arxiv.1102.0349,
title = {Parallel magnetic field driven quantum phase transition in a thin topological insulator film},
author = {A. A. Zyuzin and M. D. Hook and A. A. Burkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0349},
year = {2013}
}
备注
4+ pages, 1 figure, published version