量子化磁场中拓扑绝缘体薄膜的光学电导率
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v2
摘要
我们确定了在量子化外磁场存在下拓扑绝缘体薄膜的光学响应。我们明确考虑了顶部和底部表面态之间的杂化。杂化能与塞曼能之间的相互作用导致了拓扑绝缘体相和正常绝缘体相及其之间的相变。我们研究了这两种相以及相变点处的光学响应。我们表明，磁光响应的差异可用于区分系统的拓扑相与正常相。此外，光学响应还使我们能够确定由拓扑绝缘体薄膜顶部和底部表面态之间杂化产生的能隙。
引用
@article{arxiv.1407.4215,
title = {Optical Conductivity of Topological Insulator Thin Films in a Quantizing Magnetic Field},
author = {A. Ullah and K. Sabeeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4215},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 15 figures