拓扑绝缘体-铁磁体界面的量子电容
介观与纳米尺度物理
2017-04-11 v2 量子物理
摘要
我们研究了在面外磁场和六角翘曲存在下，具有面内磁化的拓扑绝缘体薄膜系统中的量子电容。一阶近似下，与清洁情况（既无面内磁化也无六角翘曲）相比，六角翘曲引起的量子电容修正始终为负，且其幅度随与电中性点的能量差单调增加。相比之下，面内磁化引起的量子电容变化通常随能量振荡，除非表面间耦合、面外塞曼能劈裂与磁场强度之间满足某种特定关系。在这种特殊情况下，面内磁化对所有能量下的量子电容均无影响。
引用
@article{arxiv.1608.04272,
title = {Quantum Capacitance of a Topological Insulator-Ferromagnet Interface},
author = {Zhuo Bin Siu and Debashree Chowdhury and Mansoor B. A. Jalil and Banasri Basu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.04272},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 4 figures, Accepted for publication in Scientific Reports