拓扑绝缘体中的广义量子化条件
强关联电子
2011-05-18 v1
摘要
拓扑磁电效应是拓扑绝缘体中以精细结构常数 α 为单位的基本量子化效应。在 [Phys. Rev. Lett. 105, 166803(2010)] 中，给出了正入射光束下拓扑磁电效应的拓扑量子化条件，其中必须将光波长或拓扑绝缘体薄膜厚度调谐至某些可公度值。这种精细调谐在实验上难以实现。本文给出了斜入射下拓扑绝缘体厚膜克尔角和法拉第角的显式 SL(2,ℤ) 协变表达式。我们得到了一个与材料细节无关的广义量子化条件，并提出了一种更易实现的光学实验方案——仅需调谐入射角——以直接测量与拓扑磁电效应相关的拓扑量子化。
引用
@article{arxiv.1101.0314,
title = {Generalized quantization condition in topological insulator},
author = {Yuanpei Lan and Shaolong Wan and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0314},
year = {2011}
}
备注
3 figures