三维拓扑绝缘体的量子化法拉第与克尔旋转及轴子电动力学
介观与纳米尺度物理
2016-12-07 v4 材料科学
强关联电子
摘要
拓扑绝缘体被认为最好表征为体磁电材料，其响应函数以基本物理常数量子化。此处我们将三维(3D) BiSe 薄膜的化学势降低到狄拉克点上方约 30 meV，并利用高精度时域太赫兹偏振测量探测其在磁场下的低能电动力学响应。对于高于5 T的磁场，我们观察到量子化的法拉第和克尔旋转，而直流输运仍是半经典的。这些值的一个非平庸贝里相偏移为轴子电动力学和拓扑磁电效应提供了证据。这些测量中使用的时间结构允许基于固态系统的拓扑不变量直接测量精细结构常数。
引用
@article{arxiv.1603.04317,
title = {Quantized Faraday and Kerr rotation and axion electrodynamics of a 3D topological insulator},
author = {Liang Wu and M. Salehi and N. Koirala and J. Moon and S. Oh and N. P. Armitage},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04317},
year = {2016}
}
备注
A shortened version has been published in Science. Discussion on AC quantum Hall effect without involving edge states is added