量子化磁场中拓扑绝缘体的磁光与磁电效应
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1
摘要
我们发展了一个在存在量子化外磁场时拓扑绝缘体薄膜的磁光和磁电性质的理论。我们发现，低频磁光性质仅取决于顶部和底部表面狄拉克锥填充因子ν_T和ν_B之和，而低频磁电响应仅取决于它们的差。法拉第旋转被量子化为精细结构常数的整数倍，克尔效应表现出π/2的旋转。在更高频率处出现强烈增强的回旋共振特征，这些特征对两个表面的填充因子都很敏感。当以e^2/h为单位的体电导率与薄膜厚度的乘积与α相比很小时，磁光性质仅微弱地依赖于薄膜内部的偶然掺杂。
引用
@article{arxiv.1010.0240,
title = {Magneto-optical and Magneto-electric Effects of Topological Insulators in Quantizing Magnetic Fields},
author = {Wang-Kong Tse and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0240},
year = {2015}
}
备注
4 pages