MnBi$_2$Te$_4$ 薄膜中的克尔、法拉第与磁电效应
介观与纳米尺度物理
2024-07-10 v2 材料科学
摘要
拓扑磁电效应（TME）是拓扑绝缘体的特征性质。在本文中，我们使用简化的耦合狄拉克锥电子结构模型，从理论上评估多达 个七层层的 MnBiTe 薄膜的太赫兹与远红外克尔及法拉第响应，旨在厘清这些便捷的磁光可观测量与 TME 之间的关系。我们发现，对于偶数 ，尽管磁电响应大而近似量子化，其对电场的线性克尔与法拉第响应在低频极限下消失。
引用
@article{arxiv.2303.14635,
title = {Kerr, Faraday, and Magnetoelectric Effects in MnBi$_2$Te$_4$ Thin Films},
author = {Chao Lei and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.14635},
year = {2024}
}
备注
5+7 pages