在三维拓扑绝缘体中探测量子电容
介观与纳米尺度物理
2016-04-27 v1
摘要
我们测量了量子电容，从而直接探测了在应变 HgTe 表面形成的高迁移率、狄拉克型二维电子系统的电子态密度。在此我们表明，与磁输运相反，观测到的磁电容振荡主要探测顶面。因此电容测量构成了一种强大的工具，用于仅探测一个拓扑表面，并针对费米能量的不同位置重建其朗道能级谱。
引用
@article{arxiv.1511.00606,
title = {Probing quantum capacitance in a 3D topological insulator},
author = {D. A. Kozlov and D. Bauer and J. Ziegler and R. Fischer and M. L. Savchenko and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and D. Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00606},
year = {2016}
}
备注
5 pages of the main text with 3 figures + 10 appendix pages with 7 figures