拓扑绝缘体表面态的磁量子振荡
介观与纳米尺度物理
2011-08-03 v2
摘要
我们研究了在垂直磁场存在的情况下，BiSe(111) 表面系统的磁化强度量子振荡。自旋手性 Dirac 锥与朗道量子化的结合对磁化性质产生了深刻影响，这些影响与常规半导体二维电子气中的情况有着根本的不同。具体而言，我们表明，磁化强度的振荡中心会根据零模朗道能级是被占据还是为空而取正值或负值。我们对这些新特征给出了直观的分析，并讨论了其对磁化率和霍尔电导的后续影响。
引用
@article{arxiv.1006.0886,
title = {Magnetic quantum oscillations of the topological insulator surface states},
author = {Zhigang Wang and Zhen-Guo Fu and Shuang-Xi Wang and Ping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0886},
year = {2011}
}
备注
5.5 PRB pages, 5 figures