无序 GaAs 层中磁导率振荡的拓扑性

讨论对角线导电性($G_{xx}$)和霍尔导电性($G_{xy}$)的磁导率振荡，基于引起量子霍尔效应的拓扑尺度效应。这些振荡发生在能级密度由于兰道量子化而无振荡的场范围内，因此与舒布尼-德哈斯振荡完全不同。这些振荡在受磁场极端量子极限下的无序 GaAs 层中被实验观察，由整数与分数量子霍尔效应的统一尺度理论成功描述。