无序 GaAs 层中磁导电阻通用流图
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
研究了重Si掺杂、无序 GaAs 层中对角线和磁导电阻数据 (G_{xx},G_{xy}) 的温度驱动流线。流线在双曲性对称性的情况下，由最近发展的普适尺度理论准确描述。分离线 G_{xy}=1（以 e^2/h 为单位）将绝缘态与自旋退化的量子霍尔效应（QHE）态分开。在低温下，沿半圆分离线 G_{xx}^2+(G_{xy}-1)^2=1 合并到绝缘态或 QHE 态；该分离线由点 (G_{xx},G_{xy})=(1,1) 处的不稳定固定点划分。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204206,
title = {Universal flow diagram for the magnetoconductance in disordered GaAs layers},
author = {S. S. Murzin and M. Weiss and A. G. M. Jansen and K. Eberl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204206},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures, submitted to Phys. Rev. Lett