半填充朗道能级附近的普适性与相图

使用栅控 GaAs/AlGaAs 异质结构来确定无序-磁场平面中填充因子 nu=1/2 附近的二维电子气的低温行为。我们确定了一条线，在该线上 $\sigma_{xy}$ 与温度无关，其值为 $\sigma_{xy}=0.5 (e^{2}/h)$，以及另一条不同的线，在该线上 $\rho_{xy}=2 (h/e^{2})$。霍尔绝缘体与 nu=1 和 1/3 处主量子霍尔液体之间的相边界显示了电子和复合费米子的第一朗道能级退局域态的悬浮。最后，数据表明在 nu=1/2 附近不存在真正的金属相。