朗道能级填充因子 nu=4/11 处的分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2015-01-14 v2
摘要
我们报告了在极高迁移率和低密度样品中，朗道能级填充因子 nu = 4/11 处复合费米子分数量子霍尔效应的低温电子输运结果。测量在低至 15mK 的温度下进行，观察到激活磁电阻 Rxx 和量子化霍尔电阻 Rxy，后者与预期值 h/(4/11)e^2 的偏差在 1% 以内。4/11 处 Rxx 最小值的温度依赖性 yielded 约 7 mK 的激活能隙。在相邻的 nu = 3/8 和 5/13 态也观察到了正在形成的霍尔平台。
引用
@article{arxiv.1412.7451,
title = {Fractional Quantum Hall Effect at Landau Level Filling nu=4/11},
author = {W. Pan and K. W. Baldwin and K. W. West and L. N. Pfeiffer and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7451},
year = {2015}
}