ZnO异质结构中ν=1/2附近的温度依赖磁输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们利用复合费米子模型分析了限制在氧化物异质界面（ZnO）的高迁移率二维电子系统中ν=1/2附近直至ν=5/11的显著分数量子霍尔态序列。ν=1/2附近Rxx振荡的温度依赖性给出了复合费米子有效质量的估计，该质量随磁场线性增加。该质量与增强的电子有效质量数值相近，而增强的电子有效质量本身源于强电子相互作用。分数量子态的能量间隙以及ν=1/2处Rxx的温度依赖性表明复合费米子之间存在较大的残余相互作用。
引用
@article{arxiv.1203.3349,
title = {Temperature dependent magnetotransport around $\nu$= 1/2 in ZnO heterostructures},
author = {Denis Maryenko and Joseph Falson and Yusuke Kozuka and Atsushi Tsukazaki and Masaru Onoda and Hideo Aoki and Masashi Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3349},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 Figures